半导体分立器件种类繁多，以下是对您提到的几类主要分立器件的详细归纳：

二极管（Diode）:

类型：

根据半导体材料：锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

根据用途：检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。

根据管芯结构：点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

特性：二极管最重要的特性是单方向导电性，电流只能从正极流入，负极流出。

三极管（Triode）:

虽然您提到了“二级三极管”，但一般称为三极管或半导体三极管。它是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

类型：常见的三极管有NPN型和PNP型。

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）:

类型：

N沟道MOSFET（N-Channel MOSFET）

P沟道MOSFET（P-Channel MOSFET）

增强型MOSFET（Enhancement-Mode MOSFET）

耗尽型MOSFET（Depletion-Mode MOSFET）

双增强型MOSFET（Dual Enhancement-Mode MOSFET）

特性：通过改变栅极与源极或漏极之间的电压来控制源极与漏极之间的电流。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）:

类型（根据电压等级）：

低压IGBT：电压等级在1000V以内，如650V应用于新能源汽车、家电、工业变频等领域。

中压IGBT：电压等级在1000-1700V，如1200V应用于光伏、电磁炉、家电、焊机、工业变频器和新能源汽车领域，1700V应用于光伏和风电领域。

高压IGBT：电压等级3300V及以上，如3300V和6500V应用于高铁、动车、智能电网，以及工业电机等领域。

分类（根据封装方式）：

IGBT单管

IGBT模块

功率集成（IPM）

结构分类：

穿通IGBT（PT-IGBT）

非穿通IGBT（NPT-IGBT）

以上是对您所提及的半导体分立器件的详细分类和简要介绍。这些器件在电子电路、通信设备、计算机、消费电子等领域中都有广泛的应用。